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大功率GaN快充|QR/CCM反激式电源控制芯片RM6601ND

来源:陕西亚成微电子股份有限公司 发布时间:2021-07-23 阅读次数:

E-Mode GaN FET直驱QR/CCM反激式电源控制芯片RM6601ND


芯片特点
 

高效率、大功率

■支撑CCM/QR混合模式;

■支撑最大130KHz工作频率;

RM6601ND采用专有驱动技术,可直驱 E-mode GaN FET

 

超低待机功耗

■ 内置700V高压启动;

■ 集成X-CAP放电功能;

■ 低启动电流(2uA),低工作电流;

■ 待机功耗<65mW。

 

优异的性能

■ 内置特有抖频技术改善EMI;

■ Burst Mode去噪音;

■ 集成斜坡补偿及高低压功率补偿功能;

■ 集成AC输入Brown out/in功能;

■ 外置OVP保护,具有输出肖特基短路保护/CS短路保护;

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。


原理图
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产品图


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产品系列


 

型号 反馈形式 输出功率 封装 功率管
RM6601ND SSR+QR 75W SOP-8 外置GaN

 

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