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支撑120W快充|3D封装技术氮化镓直驱电源芯片RM6801SQ

来源:陕西亚成微电子股份有限公司 发布时间:2021-03-19 阅读次数:

支撑120W快充|3D封装技术高集成氮化镓直驱电源芯片RM6801SQ


芯片概述

RM6801SQ是一款采用3D封装技术的高性能、高可靠性、高集成度电流控制型PWM开关控制芯片,内部集成了ZVS反激式PWM控制器、氮化镓驱动器以及高压启动管,最大输出功率120W,具有高效率、高通流、高导热率等特点。

RM6801SQ全电压范围内待机功耗小于65mW,满足六级能效标准,并且支撑CCM/QR混合模式,专有ZVS技术降低GaNFET开关损耗,提高产品效率及功率密度,改善产品EMI。芯片集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下,在低压输入时会进入CCM模式;在高压重载情况下,系统工作在QR模式,并采用专有ZVS技术,以降低开关损耗,同时结合PFM工作模式提高系统效率;RM6801SQ采用专有的驱动技术,易于搭配Emode GaN功率器件改善EMI设计;在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6801SQ本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善EMI。

RM6801SQ同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括VCC OVP,内置OTP,外置OVP,欠压锁定(uvlo),逐周期过流保护OCP,过载保护(OLP),CS短路保护,输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿和ZVS线电压补偿。



功能特点
 

■ 支撑CCM/QR混合模式;

■ 专有ZVS技术;

■ 内置700V高压启动;

■ 集成X-CAP放电功能;

■ 支撑最大130KHz工作频率;

■ 内置特有抖频技术改善EMI;

■ Burst Mode去噪音;

■ 低启动电流(2uA),低工作电流;

■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿;

■ 集成AC输入Brown out/in功能;

■ 外置OVP保护;

■ 具有输出肖特基短路保护/CS短路保护;

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护

 


原理图
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产品图





产品系列

 

型号 反馈形式 输出功率 封装 功率管 应用领域
RM6801SQ SSR+ZVS 120W PLP3*3 外置GaN

PD/QC快速充电器

大功率适配器

TV电源

 

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